1? 設(shè)備構(gòu)成及特點

本等離子體表面處理系統(tǒng)主要包括三個部分： 真空腔及真空系統(tǒng)、 等離子體發(fā)生器、 控制系統(tǒng)。

2? 真空腔及真空發(fā)生系統(tǒng)

真空腔固定于機柜框架內(nèi)，左右兩側(cè)為可拆門，因此內(nèi)部的真空腔及真空系統(tǒng)的維修是極方便的。真空發(fā)生系統(tǒng)由波紋管、KF 接頭、真空泵以及油霧過濾器組成，此泵維護簡單方便，抽速穩(wěn)定，

質(zhì)量耐用，保養(yǎng)時，每次按照用量來更換真空泵油，并妥善處理廢棄油品；保養(yǎng)和維護請按照泵的使用說明書進行。

3? 等離子體發(fā)生器

等離子體發(fā)生器在 20Pa-100Pa 間給電極板施加電壓，產(chǎn)生低溫等離子體。利用高頻轉(zhuǎn)換技術(shù)形成高頻電壓加到電極板上，當(dāng)真空腔內(nèi)達到一定真空度時，產(chǎn)生等離子體放電現(xiàn)象，放電后電路會自

動調(diào)節(jié)電壓到適當(dāng)值，保證電路正常穩(wěn)定放電。

行業(yè)應(yīng)用

手機行業(yè)：TP、中框、后蓋表面清洗活化

PCB/FPC行業(yè)：孔內(nèi)鉆污及表面清潔、Coverlay表面粗化及清潔

半導(dǎo)體行業(yè)：半導(dǎo)體封裝、攝像頭模組、LED封裝、BGA封裝、Wire Bond前處理

?陶瓷：封裝、點膠前處理

表面粗化蝕刻：PI表面粗化、PPS蝕刻、半導(dǎo)體硅片PN結(jié)去除、ITO膜蝕刻

塑膠材料：Teflon特氟龍表面活化、ABS表面活化、以及其他塑料材質(zhì)清洗活化

ITO涂覆前表面清洗

概述：是正離子和電子密度大致相等的電離氣體。由離子、電子、自由激進分子、光子以及中性粒子組成，是物質(zhì)的第四態(tài)。人們普遍認為的物質(zhì)有三態(tài)：固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)。區(qū)分這三種狀態(tài)是靠物質(zhì)中所含能量的多少。給氣態(tài)物質(zhì)更多的能量，比如加熱，將會形成等離子體，在宇宙中99.99％的物質(zhì)處于等離子狀態(tài)。
清洗原理：通過化學(xué)或物理作用對工件表面進行處理，實現(xiàn)分子水平的污染物去除（一般厚度為3～30nm），從而提高工件表面活性。被清除的污染物可能為有機物、環(huán)氧樹脂、光刻膠、氧化物、微顆粒污染物等。對應(yīng)不同的污染物，應(yīng)采用不同的清洗工藝，根據(jù)選擇的工藝氣體不同，等離子清洗分為化學(xué)清洗、物理清洗及物理化學(xué)清洗。
化學(xué)清洗:表面反應(yīng)以化學(xué)反應(yīng)為主的等離子體清洗，又稱PE。
例1：O2＋e－→ 2O※ +e－? ? ?O※＋有機物→CO2+H2O
從反應(yīng)式可見，氧等離子體通過化學(xué)反應(yīng)可使非揮發(fā)性有機物變成易揮發(fā)的H2O和CO2。
例2：H2+e-→2H※+e-? ? ? H※+非揮發(fā)性金屬氧化物→金屬＋H2O
從反應(yīng)式可見，氫等離子體通過化學(xué)反應(yīng)可以去除金屬表面氧化層，清潔金屬表面。
物理清洗：表面反應(yīng)以物理反應(yīng)為主的等離子體清洗，也叫濺射腐蝕（SPE）。
例：Ar＋e-→Ar++2e-? ? ? ?Ar++沾污→揮發(fā)性沾污
Ar+在自偏壓或外加偏壓作用下被加速產(chǎn)生動能，然后轟擊在放在負電極上的被清洗工件表面，一般用于去除氧化物、環(huán)氧樹脂溢出或是微顆粒污染物，同時進行表面能活化。
物理化學(xué)清洗：表面反應(yīng)中物理反應(yīng)與化學(xué)反應(yīng)均起重要作用。
等離子清洗設(shè)備
等離子清洗設(shè)備的原理是在真空狀態(tài)下，壓力越來越小，分子間間距越來越大，分子間力越來越小，利用射頻源產(chǎn)生的高壓交變電場將氧、氬、氫等工藝氣體震蕩成具有高反應(yīng)活性或高能量的離子，然后與有機污染物及微顆粒污染物反應(yīng)或碰撞形成揮發(fā)性物質(zhì)，然后由工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去，從而達到表面清潔活化的目的。是清洗方法中最為徹底的剝離式清洗，其最大優(yōu)勢在于清洗后無廢液，最大特點是對金屬、半導(dǎo)體、氧化物和大多數(shù)高分子材料等都能很好地處理，可實現(xiàn)整體和局部以及復(fù)雜結(jié)構(gòu)的清洗。